Технологія відкриває нові перспективи щодо масштабування флеш-накопичувачів, збільшення їх швидкодії і надійності зберігання інформації...
Компанія Samsung оголосила про початок масового виробництва першої в галузі тривимірної флеш-пам`яті 3D Vertical NAND, або V-NAND. Технологія відкриває нові перспективи щодо масштабування флеш-накопичувачів, збільшення їх швидкодії і надійності зберігання інформації, пише Компьютолента. Отже, про що ж йде мова ...
Архітектура V-NAND передбачає компонування кристалів флеш-пам`яті по вертикалі, тобто формування 3D-структури. Один чіп у поточному вигляді може мати до 24 шарів.
Samsung пояснює: для зв`язку шарів застосовується «пропріетарна технологія вертикальних зв`язків». По всій видимості, мова йде про методику TSV (через кремній Via), суть якої у формуванні в підкладках мініатюрних отворів, заповнюваних міддю. Такі канали відіграють роль провідників, що дозволяє створювати багатоярусні чіпи. У результаті щільність зберігання інформації значно зростає.
Інша особливість виробів 3D Вертикальний NAND полягає в застосуванні технології 3D Charge Trap Flash (CTF), тобто «пам`яті з пасткою заряду».
Принцип роботи традиційної флеш-пам`яті заснований на зміні та реєстрації електричного заряду в ізольованій області («кишені») напівпровідникової структури. Але цей процес пов`язаний з накопиченням необоротних змін, а тому кількість записів для комірки флеш-пам`яті обмежена. Одна з причин деградації - неможливість індивідуально контролювати заряд плаваючого затвора в кожному осередку.
У CTF-виробах електричний заряд зберігається в спеціальній ізольованій області осередку. Технологія забезпечує значне зменшення електромагнітного шуму в кристалі під час передачі даних, що дозволяє підвищити надійність зберігання інформації і використовувати більш «тонкі» технологічні процеси.
Пам`ять 3D Vertical NAND виготовляється за методикою 10-нанометрового класу. Ємність одного чіпа дорівнює 128 Гбіт, що робить можливим випуск продуктів місткістю від 128 Гб до 1 Тб. Стверджується, що в порівнянні з присутніми на ринку виробами нові флеш-чіпи забезпечують збільшення швидкості запису в два рази і підвищення надійності зберігання в 2-10 разів.
Нова пам`ять знайде застосування в найрізноманітніших пристроях, включаючи SSD-накопичувачі і вбудовувані флеш-модулі для мобільних пристроїв.
Юлія ДОМАНСЬКА
